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美光本周开始采用1Z纳米工艺量产16Gb DDR4产品。

在宣布这一进展时，Micron表示，与上一代1Y nm节点相比，其1Z nm 16Gb DDR4产品提供了“更高的位密度”、增强的性能和更低的成本。

1X、1Y和1Z是存储器行业的标准术语，分别代表第一代、第二代和第三代10 nm工艺。正如Guru3D所强调的，“1X可能意味着19到17纳米，1Y可能意味着16到14纳米，1Z可能意味着13到10纳米。”

Micron Technology技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示，“业界最小特征尺寸DRAM节点的开发和量产证明了Micron世界级的工程和制造能力，尤其是在DRAM扩展变得极其复杂的情况下。”

这家内存制造商还宣布，将批量出货基于ufsmulti-chip封装(uMCP4)的16Gb低功耗双数据速率4X (LPDDR4X) DRAM，寻求更小的封装和更低的功耗要求，以提高移动设备制造商的电池寿命。

三星今年3月宣布，其1Z-nm 8Gb DDR4将于今年下半年量产，以适应定于2020年推出的高端个人电脑和企业服务器。